场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型
新一代场终止型(field stop,FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through,PT)IGBT的建模方法,由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同,不可避免的会存在较大的偏差。在对已有PT模型进行理论分析和公式推导的基础上,根据FS型IGBT的结构特点和工作机制,在场终止层内采用了大注入的假设条件,同时考虑基区内载流子的复合作用,提出了一种改进的FS型开关瞬态模型。通过2种模型仿真波形与实测波形的比较,验证了该模型具有更高的准确性。
绝缘栅双极型晶体管、场终止结构、开关瞬态模型
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TN322(半导体技术)
国家自然科学基金项目50737004, 50721063 ,50607020
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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