基于开关瞬态过程分析的大容量变换器杂散参数抽取方法

摘要：

由于线路杂散电感存储能量的释放，绝缘门极双极性晶体管（insulatedgatebipolartransistor，IGBT）在开通和关断的瞬态过程中，其两端将产生电压尖峰。为了对该电压尖峰进行定量研究，需要对IGBT开关过程进行分析，抽取线路的杂散电感参数。传统抽取方法通常利用IGBT关断电压的最大幅值以及近似的电流斜率作为计算参数，其计算结果并不精确。为得到更精确的结果，提出一种新的参数抽取方法，通过将IGBT开通、关断的非线性过程分解为多个线性阶段，并充分考虑反并联二极管前向恢复和反向恢复的影响，在此基础上得到电压过冲△Uot。和相对应的di／dt，进而得到准确的杂散参数抽取过程。最后，将该分析方法在一台75kVA的单相逆变器进行实验验证，利用不同工况下的开通和关断过程进行线路杂散电感抽取，均得到一致的结果，从而证明了本方法的有效性与正确性。

关键词：电压尖峰、杂散电感、反并联二极管、开通、关断

所属期刊栏目：31

分类号：TM85(高电压技术)

资助基金：基金项目:国家自然科学基金项目50737004;台达电力电子科教发展计划重点项目fDREK2010002

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：40-47