适用于复杂电路分析的IGBT模型

摘要：

推出一种适用于复杂电路仿真分析的绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模型.模型分阶段模拟IGBT的开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现对IGBT稳态特性的建模.模型具有计算速度快、参数提取容易、物理概念明确的特点.描述模型的等效原理、构成和参数提取过程,并在PSIM软件包下建立其等效电路.以FF300R12ME3型IGBT为例给出了模型参数,并将模型应用于IGBT的开关特性分析、缓冲吸收电路设计以及IGBT的并联运行分析.仿真和实验结果对比证明了该模型的有效性.

关键词：绝缘栅双极性晶体管、模型、PSIM、开关特性、缓冲吸收电路、并联运行

所属期刊栏目：30

分类号：TM85(高电压技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7