低干扰低损耗新型MOSFET三阶驱动电路

摘要：

由于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)存在开关速度快、驱动容易等特点,故在变流电路中大量使用,但由此而产生的电磁干扰也越来越严重.驱动电路作为功率单元与控制电路的接口,其性能对电磁干扰的影响十分重要.该文在对MOSFET开关暂态过程进行详细地分析后,提出一种新的驱动电路,该驱动电路在不影响开关速度的情况下可以减小电磁干扰及开关损耗,而且该驱动电路与传统驱动电路相比仅需增加几个额外的低压器件,易于实现.文中最后给出了三阶驱动电路与其它几种不同驱动电路开通与关断时的电压电流波形及相应的传导发射.实验结果表明该驱动电路电磁干扰小,功率损耗低,开关速度快,无电压及电流的过冲现象,实现了驱动电路的优化.

关键词：三阶驱动策略、电流电压变化率、电磁干扰、开关损耗、开关速度、密勒效应

所属期刊栏目：27

分类号：TM46(变压器、变流器及电抗器)

资助基金：国家自然科学基金50477009

在线出版日期：2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：67-72