低剂量长期砷暴露对HaCat细胞增殖及凋亡水平的影响

摘要：

目的 探讨低剂量长期砷暴露对HaCat细胞增殖及凋亡水平的影响.方法 HaCat细胞暴露于浓度为0、0.05、0.10 μmol/L的NaAsO215周后,用直接细胞计数法计数对照组及染砷组细胞数,检测细胞增殖水平；用流式细胞仪测定10 000个细胞的细胞凋亡发生水平.结果 各染砷组细胞增殖速率与对照组相比均显著增高(P＜0.05),且0.10μmoL/L组细胞增殖率(245.00±8.66)％显著高于0.05 μmol/L组(165.00±15.00)％(P＜0.05),细胞增殖水平与染砷剂量间呈显著剂量-效应关系；0.05 μmol/L组(0.28±0.08)％及0.10 μmol/L组(0.34±0.09)％细胞凋亡率均明显低于对昭组(0.74±0.18)％(P＜0.05).结论 长期低剂量砷暴露可使HaCat细胞的增殖能力明显增强,并诱导细胞凋亡率显著降低.

关键词：亚砷酸钠(NaAsO2)、HaCat细胞株、细胞增殖、细胞凋亡

所属期刊栏目：28

分类号：R599.9(全身性疾病)

资助基金：辽宁省教育厅课题L2010705

在线出版日期：2013-04-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

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