对n型Si外延片表面处理方法的研究

摘要：

集成电力中最常见的半导体材料就是Si外延片,并且也经常用来制造成半导体器件.对于外延片来说,其外延电阻是最重要的一项参数指标,可以直接对器件的性能造成影响.本文主要分析了多种表面处理方式力测试其对电子率造成的影响,最终发现采用紫外光进行表面处理方法最为合适,可以广泛应用于成品测试之中.

关键词：外延片、电阻率、汞探针cV测试仪、表面处理、紫外光

分类号：TN3;TN9

在线出版日期：2017-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

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