10.7502/j.issn.1674-3962.202108006
GaN基绿光激光二极管发展现状及趋势
由于氮化镓(GaN)基半导体材料在外延生长技术、外延结构设计方面取得了显著的成果,GaN基绿光激光二极管已广泛应用在激光显示、光纤维通讯、生物医疗器件和光数据存储等领域.综述了绿光激光二极管的发展历程及研究现状;重点详述了导致GaN基绿光激光二极管输出功率低、光束质量差及可靠性差等问题的关键因素及解决方法;探讨了绿光波段量子阱的高In组分导致GaN基激光二极管光电性能骤降方面的问题;总结了制备高性能GaN基绿光激光二极管所面临的挑战仍是外延材料质量差、载流子泄漏严重和强极化效应引起的激射效率低等难题.同时,展望了GaN基绿光激光二极管向智能化和模块化方向发展的趋势以及研究重点.
GaN基绿光激光二极管、输出功率、光束质量、可靠性、外延结构
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TN248.4(光电子技术、激光技术)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点研发计划;山西省基础研究项目
2023-09-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
597-604