铜铁矿基p-TSO材料的化学合成及其光电器件研究

摘要：

铜铁矿基三元氧化物CuMO2是p型的宽禁带半导体材料,具有紫外截止、 可见光区和近红外光区高度透明的光学特性和良好的电学性能.主要综述了CuMO2铜铁矿基材料近年来报道较多的溶胶-凝胶、 水热合成、 静电纺丝以及聚合物辅助沉积4种化学制备方法及其当前的研究现状,详细介绍了CuMO2铜铁矿基的紫外光电探测器、 钙钛矿太阳能电池以及薄膜晶体管等光电器件的制备和性能研究.这些研究表明,CuMO2三元氧化物极有望应用于低成本、 高效益、 稳定性好的光电器件和p型薄膜晶体管中,其性能研究及其器件探索拥有较大的研究潜力.然而现阶段其薄膜制备的合成温度偏高,低维铜铁矿材料的电学性能有待进一步提升.因此,铜铁矿基光电器件的研发与应用是一项挑战与机遇并存的工作.

关键词：三元氧化物;铜铁矿材料;p型宽禁带半导体;化学合成法;紫外光电探测器;空穴传输层;薄膜晶体管

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分类号：TN304.2;O472(半导体技术)

资助基金：上海市科委基础研究重点项目;国家自然科学基金项目

在线出版日期：2021-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：525-534