电子束辐照对锗锑碲非晶薄膜影响的研究

摘要：

相变存储器是目前最具潜力的新式存储设备之一,其存储性能主要取决于相变材料的结构-性能关系,因此结构表征对于相变存储非常重要.透射电子显微镜(TEM)是表征材料形貌、结构的重要手段,但是高能电子束会对材料的结构造成暂时或永久性的影响,这种影响也为表征非晶相变材料带来了极大的挑战,包括已经商业化的GeSbTe合金.利用原位TEM系统地研究了电子束辐照对GeSb2Te4非晶薄膜样品的影响,发现非晶薄膜在较大电子束束流强度下会发生结晶化,而降低束流强度将能够有效保持非晶的稳定性.量化了电子束束流诱发GeSb2Te4非晶薄膜晶化的阈值,给出了电子束流强度和辐照诱导相变时间的关系,为利用TEM研究GeSbTe非晶材料的结构与性能提供了有效的安全界限.

关键词：GeSbTe、非晶、电子束辐照、结晶化、原位TEM

所属期刊栏目：38

分类号：O751(非晶态和类晶态)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61774123,51621063

在线出版日期：2019-04-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：110-115