450 mm IC级硅单晶的制备

摘要：

450 mm直径的硅片面积比目前主流300 mm硅片面积大2.25倍,是下一代半导体芯片的衬底.国外许多半导体设备和材料公司已联手开展这方面的研究工作.从技术和市场角度讨论分析了以下问题:①投料量和单晶收率的关系;②籽晶的承重;③设备安全性,防止一氯化硅粉尘的爆燃;④晶体质量的控制,从热场的选择和设计、缺陷控制、单晶体金属控制等方面做了分析;⑤对当前国内外相关原材料的市场情况进行了讨论.文章指出,现在国内直径450 mm硅晶体生长的研发条件已经成熟.

关键词：硅单晶、450 mm直径硅片、制备

所属期刊栏目：29

分类号：O782(晶体生长)

在线出版日期：2011-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：21-24