Al基上偏压磁控溅射Cu薄膜的工艺研究

摘要：

利用磁控溅射方法,通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底进行轰击,在Al箔上制备Cu薄膜.采用强力胶带试验及数字式微欧计考察了负偏压对薄膜附着力和方块电阻的影响,以及Cu薄膜的氧化规律.结果表明,样品的附着力随负偏压的增大先急剧增加,后又下降,负偏压为200 V时附着力最强,为76 N;方块电阻则随负偏压的增大先下降,在200 V达到最小值1.575 Ω/□,而后又增大;Cu薄膜的氧化反应完成的时间与Cu膜厚度基本呈线性规律.

关键词：Al基Cu薄膜、磁控溅射、附着力、方块电阻、动力学特性

所属期刊栏目：27

分类号：TN305.8;O484.4(半导体技术)

资助基金：国防基础科研项目;济南市科技攻关计划

在线出版日期：2012-03-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38