用热CVD法超微粒子涂覆装置制取SiC-Si3N4
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用热CVD法超微粒子涂覆装置制取SiC-Si3N4

引用
@@ SiC和Si3N4作为高温材料引人注目.由于SiC在氧化性气氛中会升华,因此加入(低温下强度较差的)Si3N4制成SiC-Si3N4复合粉体,使其在氧化性气氛中具有耐热性.但这种复合粉体烧结性差,为此,人们进行了各种探索,以期望它在原料粉体阶段就具有分散性,从而改善其烧结性.如探讨了纳米粉体的开发,以及电炉法、等离子法、激光法等多种SiC-Si3N4复合粉体的配制方法.

CVD法、超微粒子、涂覆装置、复合粉体、氧化性气氛、Si3N4、烧结性、SiC、配制方法、纳米粉体、高温材料、等离子法、耐热性、激光法、分散性、电炉法、原料、升华、强度、低温

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U2 ;TQ1

2012-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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