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10.3969/j.issn.1674-3962.2005.09.006

硫化锌掺杂二氧化硅靶材致密化研究

引用
硫化锌掺杂二氧化硅(以下简用ZnS+SiO2表示)靶材主要用于CD-RW,DVD-RAM光盘,它通过溅射方法在光盘上形成一层保护膜,以保证光盘的记录性能不受外界条件的影响.靶材的密度越高,溅射形成的膜的质量越好.ZnS+SiO2靶材可通过热等静压工艺或热压工艺获得,本实验采用真空热压工艺对ZnS+SiO2靶材致密化进行了研究,分析了主要热压工艺参数对ZnS+SiO2靶材密度的影响.最适宜的热压温度为1 250℃,压力为36 MPa,时间为3 h,采用此工艺参数制备的靶材相对密度达99.2%.

ZnS靶材、热压、光盘

24

TL503.4(加速器)

国家”863”西部新材料行动基金资助项目2003AA31X010

2012-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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1674-3962

61-1473/TG

24

2005,24(9)

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