离子注入碳化硅实现低温下外延合成石墨烯
通过高温加热碳化硅在其表面上外延形成均匀、大面积的石墨烯,是目前石墨烯制备行业最主要的方法之一.但由于碳化硅具有超高的热解温度,给设备方面提出了很大的挑战,限制了该方法在实际生产中的应用.太原科技大学以降低碳化硅热解合成石墨烯所需要的温度为出发点,采用离子注入方法,研究离子注入过程对制备石墨烯薄层结构和基本物理性能的影响,探讨离子注入手段在碳化硅热解合成石墨烯过程中的作用机理.该文章发表在《Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B》 2015年第356期.
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2017-01-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
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