10.3969/j.issn.1007-9289.2009.04.005
靶功率和基体偏压对BCN薄膜成分及结构的影响
利用直流磁控溅射技术制备了三元硼碳氮(BCN)薄膜,通过改变靶功率(70 W和210 W)和基体偏压(-50 V~-400 V)得到不同成分和组织结构的薄膜.采用X射线光电子能谱仪和傅立叶红外光谱仪分析了薄膜的成分和结构.结果表明:靶功率增加使得薄膜成分发生改变,而基体偏压改变对薄膜中各元素的原子百分含量几乎没有影响;基体偏压的增加会引起高能粒子对基体的轰击作用增强,有利于薄膜中B-N键的形成,而且轰击能量越高越有利于sp3杂化的B-N键形成.
BCN薄膜、靶功率、基体偏压、组织结构
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O484.1(固体物理学)
2009-10-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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