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10.3321/j.issn:1007-9289.2007.03.011

常压下MOCVD法制备Al2O3薄膜工艺的研究

引用
在常压条件下,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Fe-Cr-Ni合金基片上沉积Al2O3薄膜.以仲丁醇铝(ASB)为原料,纯氮为载气,研究基片温度、ASB温度和载气流量对沉积速率的影响.采用EDS、SEM技术对Al2O3薄膜的组成进行分析.研究表明,ABS温度为125 ℃的工艺条件下,薄膜厚度为500 μm,结合强度是梯度涂层(NiAl和Al2O3的梯度沉积)的结合强度的两倍.

化学气相沉积、氧化铝、沉积速率、薄膜

20

TG174.444(金属学与热处理)

2007-07-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

47-50

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1007-9289

11-3905/TG

20

2007,20(3)

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