10.3321/j.issn:1007-9289.2006.01.011
电弧离子镀TiN薄膜中的缺陷及其形成原因
分析了电弧离子镀(AIP)TiN薄膜中的主要缺陷-熔滴、孔洞和疏松等.结果表明:这些缺陷存在于晶内、晶界或者贯穿于整个薄膜;缺陷的存在极大地影响了薄膜的性能;缺陷密度与镀膜方法及具体的工艺参数有密切关系;使用磁过滤器镀制薄膜可显著减少上述缺陷,从而提高薄膜的各种性能.认为使用磁过滤器镀制TiN及其各种复合或多层薄膜是一种切实有效的方法,是今后制备高性能TiN及其复合膜的发展方向,另外,缩短脉冲电弧在高值时的时间,用人工来减少薄膜缺陷也是一种行之有效的方法.
电弧离子镀、TiN薄膜、缺陷、磁过滤器
19
TB43;TG115.21(工业通用技术与设备)
广东省科技攻关项目102-B26650;国家自然科学基金116-B65130
2006-04-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
43-46