10.3321/j.issn:1007-9289.2006.01.004
BCN薄膜XPS结构分析时荷电效应的校正
采用X射线光电子谱(XPS)对BCN非晶纳米薄膜的结构进行表征.分别采用氩峰、污染碳和沉积单层金3种元素峰位来校正在XPS测试过程中由荷电效应引起的峰位移动,并与傅立叶红外光谱(FTIR)进行比较,讨论了这3种校正荷电效应的元素峰位选取对正确表征BCN膜结构的影响.分析结果表明:采用不同校正元素得到的BCN薄膜中元素的结合能差别很大,只有采用合适的元素校正荷电效应才能正确的表征薄膜结构;采用氩校正结合能得到的键结构拟合结果最接近薄膜的真实结构,该方法适用于溅射气氛中含Ar气的BCN膜,且对分析膜内结构同样有效;采用污染碳法和沉积单层金校正的结合能与真实值偏差较大.
BCN膜、XPS、化学结构、荷电效应
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TG174.444;TB333(金属学与热处理)
2006-04-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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