立方氮化硼薄膜的形核与生长过程试验研究

摘要：

采用离子束辅助沉积法在硅片上成功制备了一定立方相含量的氮化硼薄膜,采用各种现代分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析,包括傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等分析方法;并利用FTIR结果系统研究了衬底的表面清洁度和辅助能量、辅助束流、辅助气体中氮气含量、温度以及离子原子到达比等参数对膜中立方氮化硼含量的影响.试验结果表明:立方氮化硼薄膜成核与生长的条件窗口比较窄,要获得高质量的立方氮化硼薄膜,各种镀膜参数的相互合理调整与匹配是必要的.

关键词：c-BN薄膜、离子束辅助沉积、形核、生长

所属期刊栏目：18

分类号：TG174.444(金属学与热处理)

资助基金：中国科学院资助项目59971065

在线出版日期：2006-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：10-15