去应力退火对Cu膜纳米压入蠕变性能影响的研究

摘要：

在JGP560 V磁控溅射镀膜设备上镀制多晶Cu膜,选取沉积态和经过3 h去应力退火的退火态两种Cu膜,利用纳米压入技术测量了其室温下的蠕变性能.试验结果显示去应力退火后的Cu膜残余应力反而升高;且其室温蠕变性能与沉积态的Cu膜有很大的不同;随保载载荷升高,两种状态下的Cu膜蠕变应力指数均升高.分析认为这是由于退火造成膜基体系内应力的变化,同时减少了薄膜中的各种点缺陷和线缺陷,从而改变了Cu膜蠕变性能的结果.

关键词：残余应力、纳米压入、蠕变、退火

所属期刊栏目：17

分类号：TG146.4(金属学与热处理)

资助基金：国家自然科学基金59931010

在线出版日期：2004-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：15-18,22