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10.13465/j.cnki.jvs.2014.10.011

集成相对位移自传感磁流变阻尼器性能优化

引用
提出并实现基于Pareto优化原理对体积一定的集成相对位移自传感磁流变阻尼器(IRDSMRD)关键参数进行关于目标函数为IRDSMRD的阻尼力与集成相对位移传感器(IRDS)的线性度优化方法。对影响IRDSMRD阻尼力与IRDS线性度磁通回路的磁特性建模、分析,建立受IRDSMRD关键参数影响的IRDS线性度与IRDSMRD阻尼力数学模型。获得IRDSMRD体积一定时表征权衡IRDSMRD阻尼力性能与相对位移传感性能间关系的Pareto最优曲线(即Pareto前沿)。结果表明,在Pareto前沿上点即为IRDSMRD阻尼力与IRDS线性度最优点。在特定应用条件下,可据Pareto前沿选择具有特定IRDS的线性度最优的IRDSMRD阻尼力,反之也然。

磁流变(MR)阻尼器、集成相对位移传感器、自传感、Pareto优化、Pareto前沿

TH-39

国家自然科学基金项目60774042,51305114;中央高校基本科研业务费专项资金重点项目CDJXS11122217;新世纪优秀人才支持计划项目NCET-05-0765;全国百篇优秀博士学位论文作者专项基金项目200132

2014-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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