10.3969/j.issn.1000-3835.2011.07.053
MEMS高g加速度传感器高过载能力的优化研究
设计的MEMS高g加速度传感器抗高过载能力差,将导致在冲击等恶劣环境中应用时结构易破坏.通过分析传感器结构对其抗过载能力的影响,及在高冲击测试中传感器结构损坏情况的统计,提出了一种新颖的优化高g加速度传感器抗高过载能力的方法.该方法是在结构最易断裂的梁根部和端部添加倒角,以分散在冲击作用下传感器结构这些部位受到的应力,进而提高加速度传感器的高过载能力,并从理论仿真分析了该方法的可行性.最后利用Hopkinson杆测试方法对优化前后的加速度传感器进行冲击测试,测试结果表明,加速度计的抗高过载能力从180000g提高到240000g,说明该优化方法显著,明显提高了该类加速度传感器的抗高过载能力,设计的加速度传感器达到了较理想的抗高过载能力.
MEMS高g加速度传感器、高过载、Hopkinson杆冲击测试、倒角、优化
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TP212(自动化技术及设备)
山西省青年学术带头人资助和新世纪优秀人才支持计划资助
2011-12-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
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