一种高可靠性三相全桥IGBT驱动电路的设计

摘要：

该文基于X-FAB 1.0 μm高压SOI工艺,提出一种适用于600 V高压下的三相全桥IGBT驱动电路,包括输入接口电路、死区时间产生电路、高低压电平位移电路以及其它保护电路.其中针对输入信号可能同时有效的问题,设计了一种可以对输入信号的错误状态进行判断的死区时间产生电路,避免因高、低侧信号同时输入有效电平所造成的错误;高压驱动部分采用一种具有隔离功能的新型电平位移电路,可以减小高低压地电位之间的串扰,有效提高了驱动电路的可靠性.仿真结果表明,高侧浮动电压的范围为0～600V,能够实现三相高低通路驱动后级的IGBT功率器件,高侧通路电压的输出范围为0～615V,低侧通路电压的输出范围为0～15 V,驱动电流最大可达0.8 A,高低侧输出信号之间的死区时间为1.2 μs,最高工作频率100kHz.

关键词：IGBT驱动电路、三相全桥、SOI工艺、电平位移

所属期刊栏目：38

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：安徽省自然科学基金2108085MF226

在线出版日期：2023-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1-5