10.3969/j.issn.1004-4523.2008.06.006
两种全通道有效磁流变阻尼器的设计及性能分析
传统磁流变(MR)阻尼器活塞需缠绕励磁线圈,因此阻尼通道1/2以上长度为无效长度,影响阻尼器的最大出力.针对上述问题,提出了两种磁路结构改进方案,根据改进的磁路结构,结合磁场有限元分析,完成了两种阻尼器的结构设计和磁路设计,并采用Binglaam平板模型对两种阻尼器出力状况进行预估,得到了阻尼器工作状态下的力-速度曲线,并比较了其性能.结果表明:改进的磁路结构切实可行,两种阻尼器与同尺寸传统MR阻尼器相比,提高了阻尼通道的有效长度,较好地实现了全通道有效,最大出力提高一倍以上;方案-阻尼器的阻尼力可调范围较大,方案二阻尼器在最大出力、防沉降性能和故障安全性能方面更具优势.
磁流变阻尼器、全通道有效、永磁体、引磁套环、Binglaam模型
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TB34;TU352.1(工程材料学)
国家杰出青年科学基金资助项目50425824;国家自然科学基金面上资助项目50578109;重大研究计划重点支持项目90715034和90715032;教育部新世纪优秀人才支持计划NCET-06-0229
2009-03-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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