10.3969/j.issn.1004-4523.2006.02.005
磁流变阻尼器的双sigmoid模型及试验验证
在对MRD进行力学性能试验研究的基础上,提出一个新的力学模型一双sigmoid模型.该模型的突出优点是考虑了施加电流、激励性质等因素的影响,且参数识别容易、物理概念清晰.在不同激励性质和电流下,该模型与试验结果相比均能较准确地描述MRD低速区的滞回非线性及在高速区的饱和特性.
磁流变阻尼器、建模、试验研究、双sigmoid模型、滞回非线性特性
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TB381;TU352.1(工程材料学)
国家重点基础研究发展计划973计划50025823;海外青年学者合作研究基金50328807
2006-07-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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