电针对脑缺血再灌注大鼠脑红蛋白的影响
目的:观察脑缺血再灌注损伤大鼠脑红蛋白(neuroglobin,NgB)的表达以及电针预处理对NgB表达的影响,探索NgB在电针预处理诱导的脑保护效应中的作用.方法:雄性SD大鼠随机分为假手术组、模型组及电针组,每组16只.电针组给予电针刺激“百会”,每天30 min,持续5d.预处理后采用右侧大脑中动脉阻闭法,缺血120 min后行再灌注,制备大鼠局灶性脑缺血再灌注损伤模型.脑缺血再灌后24h进行神经行为学评分,然后检测脑梗死容积,免疫荧光双标法检测NgB表达水平.另一批SD雄性大鼠随机分为假手术组、缺血再灌注6、24、72h组,每组6只,分别通过免疫荧光双标法观察缺血半暗带NgB表达水平的变化.结果:电针预处理后电针组较模型组脑梗死容积百分比明显减低(P<0.01),神经行为学评分及NgB含量明显增加(P<0.01).脑缺血再灌注后6 h NgB表达开始上调,24 h为表达高峰(P<0.01),并至少可以持续到72 h.结论:电针预处理能显著提高脑缺血再灌注大鼠神经行为学评分,降低脑梗死容积,并可进一步上调缺血半暗带NgB表达,诱导脑缺血耐受,从而减轻脑缺血再灌注损伤.
脑缺血再灌注、电针预处理、脑红蛋白、神经保护
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R245.9+7(中医临床学)
国家自然科学基金资助项目81072888、30900462
2013-01-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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