氮化铝单晶的物理气相输运生长设备研究进展

摘要：

氮化铝(A1N)具备宽禁带、直接带隙、高击穿场强、低导通电阻、高开关速度等优异的材料特性,有望应用于深紫外光电、大功率与高频等器件领域.目前公认最适合A1N单晶量产的方法是物理气相输运(PVT)法,对其生长机制与相关工艺技术的研究已受到广泛关注,但对于设备设计与晶体生长的关系的认识尚不够深刻.介绍了 A1N材料的基本属性、应用前景、单晶生长原理,并重点总结了关于A1N单晶PVT生长设备设计的研究进展.

关键词：氮化铝;物理气相输运;热场;坩埚;控制系统

分类号：O78(晶体生长)

在线出版日期：2021-09-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：88-95