10.3969/j.issn.1672-545X.2015.05.017
基于QFN和SOP的MEMS器件封装结构设计
选取某一类MEMS器件,针对这种MEMS器件的封装要求初步提出两种封装结构,即基于QFN和SOP的封装结构.运用有限元分析软件ANSYSWorkbench,模拟功率载荷下两种形式封装结构的热应力.分析结果表明:在相同功率载荷下,采用QFN封装结构和SOP封装的最高温度为84.418℃和109.35℃、最大等效应力为85.279MPa和67.511MPa.最大剪切应力为31.846MPa和25.285MPa.两种封装结构采用相同的塑封材料在功率载荷下产生的等效应力和剪切应力都远小于芯片的断裂强度和锡焊的屈服强度,因此,基于QFN和SOP两种封装结构都适合于此类MEMS器件的封装.
MEMS器件、功率载荷、有限元分析、热应力
TN202(光电子技术、激光技术)
2015-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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