立方氮化硼薄膜的制备及光学性质调控

摘要：

立方氮化硼(cBN)作为超宽禁带半导体材料,由于具有一系列优异的物理化学性质而受到广泛关注.文章采用射频磁控溅射方法通过优化工艺参数成功地在单晶硅衬底上制备了cBN薄膜.在工作气体为氮氩混合气体、功率120 W、生长温度为600℃的条件下,在90～150 V的负偏压范围内制备的薄膜都是致密的,并且随着负偏压的增强,薄膜的沉积速率降低,立方相含量增加.所制备的cBN薄膜随着立方相含量增加,其光学禁带宽度也明显增大.当立方相体积分数为50%时,cBN薄膜的光学禁带可达到5.83 eV.这为cBN薄膜作为极端电子学材料在大功率半导体和光电子器件等领域的应用奠定了基础.

关键词：立方氮化硼薄膜、微观结构、分子振动、光学性质

所属期刊栏目：35

分类号：O484;TQ164(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-11-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：16-20