大尺寸Ga/Sc共掺ZnO晶体的水热法生长及光的吸收特性

摘要：

文章报道了水热法生长Ga/Sc共掺ZnO晶体的结果.实验以ZnO陶瓷烧结块为培养料,以4mol/LKOH+1mol/L LiOH+5mlH2 O2作为矿化剂,溶液中加入定量的Ga2 O3和Sc2 O3粉末,在尺寸为Φ70×1100mm高压釜中,在溶解温度T=380℃～400℃,结晶温度T=360℃～380℃的条件下,采用温差水热法生长出了尺寸为50×35×5.6(c轴方向)mm3的Ga/Sc共掺ZnO单晶体.采用ICP-MS测试了晶体中Ga和Sc元素的含量.利用分光光度计测试了晶体的吸收率,从400nm波长开始,随着波长的增大,Ga/Sc共掺ZnO晶体的吸收率比纯ZnO晶体高.比较了不同温差条件下c轴方向的生长速度,确定了合适的水热法晶体生长的温差条件.

关键词：水热法、矿化剂、高压釜、Ga/Sc共掺ZnO单晶、吸收率、生长速度

所属期刊栏目：31

分类号：TQ164;TS933

资助基金：广西科学研究与技术开发计划桂科 AC16380040

在线出版日期：2019-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-38