金刚石基氮化镓(GaN)技术的未来展望

摘要：

近十年来,氮化镓(GaN)的研究热潮席卷了全球的电子工业.这种材料属于宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度高、易于形成异质结构等优异性能,非常适于研制高频、大功率微波、毫米波器件和电路,是近 20 余年以来研制微波功率器件最理想的半导体材料.随着外延材料晶体质量的不断提高和器件工艺的不断改进,基于 GaN 基材料研制的微波、毫米波器件和电路,工作频率越来越高,输出功率越来越大.

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在线出版日期：2019-01-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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