10.3969/j.issn.1673-1433.2016.05.005
磁控溅射法中添加氢气对制备立方氮化硼厚膜的影响
采用两步沉积法利用射频磁控溅射手段在 p 型硅片<100>面上生长立方氮化硼(c-BN)厚膜,在常规的氩气和氮气混合工作气体中加入了氢气,并研究了不同氢气流量比、衬底温度以及衬底偏压等工作参数对 c-BN 膜的立方相含量和沉积速率的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)及 X 射线衍射谱(XRD)对所制得的 c-BN 膜进行了表征和分析。实验结果表明,在衬底负偏压为-100V 和氢气流量为7.5 cm3/min 时,所制得的 c-BN 膜立方相含量高于90%,且稳定性最佳,厚度可达4微米以上,为 c-BN 膜在工业保护涂层等方面的应用奠定了良好基础。
立方氮化硼、射频磁控溅射、偏压、厚膜
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TQ164
2016-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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