水热法生长ZnO∶Ga晶体过程及性能研究

摘要：

采用水热法于36#水热反应釜中在四种条件下制备了ZnO:Ga晶体,对比了四种参数条件下晶体的生长速度及生长质量,深入分析了过快生长速度工艺下晶体产生微孔的原因.在D工艺条件下(4MKOH +0.25M LiOH+1.25mlH2O2,360-340℃)获得了生长速度适宜、高质量的ZnO:Ga单晶,晶体最大尺寸达到32.36 mm×27.46 mm×5.52 mm.Ga:ZnO晶体的生长习性为形成一个单锥六棱具有显露p锥面即(101-1)和负极面(0001-)的柱体,而柱显露m面(101-0)发生退化.测试ZnO:Ga晶体的双晶摇摆曲线显示晶体具有优良的结晶质量,其中+c[002]晶面的FWHM为11arc sec,而-c晶面的结晶质量略低于+c方向,FWHM为17arc sec.较之纯ZnO晶体,Ga:ZnO晶体在750nm处透过率曲线开始下降,其在大于750nm波长的可见及红外光区的特异吸收性能将具有广泛的应用前景.

关键词：ZnO∶Ga、水热法、晶体、过程、性能

所属期刊栏目：28

分类号：TQ174

资助基金：广西自然科学基金2013GXNSFBA019262;中国科学院技术开发项目2012EG115007;广西科学研究与技术开发计划桂科攻1598008-9

在线出版日期：2016-08-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：57-62