强流氘氘中子源用TiD2靶膜制备技术研究

摘要：

基片镀膜是氘/氚靶制备过程的重要工序,靶膜的性能直接影响充氘及中子实验.本文对去除表面污渍和氧化层后的基片采用磁控溅射进行镀膜,研制性能优良的强流氘氚中子源用靶膜.采用扫描电镜观察膜层表面外观形貌,根据称重法用电子天秤测量理论膜厚,使用划痕仪分析膜层结合力,并通过电子探针分析膜层的杂质元素含量来表征靶膜的性能.结果表明,磁控溅射镀膜后膜层颗粒度细小、分布均匀,同时膜层表面杂质小于6.0％.镀膜后基片的活化充氘实验表明,氘/钛(原子比)最高可达1.98,满足中子产额实验要求,可进行后续中子实验.

关键词：氘/氘中子源、靶膜、TiD2、磁控溅射镀膜

所属期刊栏目：56

分类号：TL364.5(核反应堆工程)

资助基金：中核集团青年英才项目

在线出版日期：2022-11-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：265-271