硅外延平面NPN双极晶体管的总剂量辐射损伤缺陷研究

摘要：

本文针对国产NPN双极晶体管开展了不同偏置下的总剂量辐照试验.试验结果表明,辐照主要导致双极晶体管的基极电流增加和电流增益降低.同时,NPN晶体管在反向偏置下表现出较零偏下更严重的退化.分析发现,双极晶体管性能退化主要来源于辐射诱生缺陷导致的复合电流增加.最后,基于深能级瞬态谱开展了NPN晶体管发射结的缺陷测试,发现辐射会导致缺陷密度的增加和缺陷能级的改变.

关键词：双极晶体管、总剂量效应、深能级瞬态谱、辐射损伤缺陷

所属期刊栏目：56

分类号：TL99

在线出版日期：2022-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2187-2194