模拟乏燃料短段673～873K下的氧化行为

摘要：

氧化挥发是一种具有良好应用前景的后处理首端技术,该技术不仅能有效实现氚的管控还可简化后续处理流程.为预测乏燃料的氧化行为并为氧化挥发技术提供参考,本文利用旋转式氧化挥发装置,对模拟乏燃料短段在673～873 K下的氧化行为进行了研究.结果表明,673～823 K范围内,随着温度的升高,模拟乏燃料短段氧化速率、氧化产物(小于200μm)粒径均会增加.823 K下,由于包壳内部分芯块未能完全反应,所得转化率只有86％.此外,当温度低于773 K时,模拟乏燃料短段氧化不够充分.因此,673～873 K范围内,乏燃料短段最佳氧化挥发温度为773 K.

关键词：氧化挥发、模拟乏燃料短段、氧化速率、氧化产物

所属期刊栏目：56

分类号：TL241.2(核燃料及其生产)

在线出版日期：2022-07-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1236-1242