SIP外壳内受X射线激发的电磁干扰环境

摘要：

本文估算了系统级封装(SIP)外壳内,受脉冲X射线辐照产生的电磁干扰(EMI)环境.首先通过蒙特卡罗数值方法计算了可伐合金及印制电路板(PCB)表面受X射线辐照激发电子的产额和能谱,并基于该计算结果开展了电子自洽运动的数值模拟.利用时域有限差分法(FDTD)和粒子模拟技术(PIC)对电子产生电磁场的过程进行了仿真.计算结果表明,电子的运动使得电子发射面附近的EMI环境最强.此外,从频谱可看出,电磁干扰主要集中在低频部分,且频率取决于X射线的时间参数.通过减小SIP外壳的受辐照面积及高度可降低外壳内的EMI环境强度.

关键词：系统级封装;电磁干扰;X射线

所属期刊栏目：55

分类号：TN401;O411.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2022-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2282-2289