考虑背栅电流的DSOI MOSFET阈值电压模型研究

摘要：

当全耗尽的DSOI NMOS器件受到高总剂量辐射或高背栅电压的影响时,器件阈值电压与背栅电压的关系不再满足单一的线性关系.器件阈值电压与背栅电压之间的耦合机制会在背栅界面从耗尽型过度到强反型后改变,已有的模型不足以描述改变后的耦合机制.为解决这一问题,本文提出了一种考虑背栅电流影响的阈值电压模型.使用此模型,针对DSOI NMOS器件在受到高总剂量辐射或高背栅电压条件下器件阈值电压与背栅电压的耦合关系,可获得良好的拟合结果.

关键词：DSOI;FDSOI;总剂量效应;阈值电压;背栅电压

所属期刊栏目：55

分类号：O657.63(分析化学)

资助基金：Supported by Youth Innovation Promotion Association CAS ;National Natural Science Foundation of China

在线出版日期：2022-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2224-2230