柔性倒置赝型三结太阳电池高能质子辐射效应研究

摘要：

为考察柔性薄膜GaInP/GaAs/InGaAs倒赝型三结(IMM3J)太阳电池的抗辐照性能,本文对其进行了1、3、5 MeV高能质子辐照.SRIM模拟结果表明,1、3、5 MeV质子辐照在IMM3J电池中造成均匀的位移损伤.光特性(LIV)结果表明,开路电压(Voc)、短路电流(Isc)和最大输出功率(Pmax)与质子注量呈对数退化规律.通过非电离能量损失(NIEL)将不同能量质子的注量转化为位移损伤剂量(DDD),结果显示,Voc和Pmax与DDD呈对数退化规律,而fsc遵循两种不同的退化规律.光谱响应测试证明,GaInP子电池具有优异的抗辐照性能,3个子电池中InGaAs(1.0 eV)子电池的抗辐照性能最差.

关键词：IMM3J太阳电池;辐射效应;位移损伤剂量

所属期刊栏目：55

分类号：TL814(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：Supported by National Natural Science Foundation of China ;Project of State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect ;Shanghai Institute of Space Power-sources/State Key Laboratory of Space Power-sources Technology ;China Postdoctoral Sci-ence Foundation

在线出版日期：2022-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2216-2223