14 nm FinFET器件单粒子瞬态特性研究

摘要：

为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬态(SET)特性.研究结果表明,在不同的线性能量传输(LET)值及不同的入射位置下,FinFET器件具有不同的单粒子敏感性.SET脉冲宽度随LET值的增大而展宽.此外,SET特性与粒子轰击位置的关系呈现出复杂性.对于低LET值(LET≤1 MeV·cm2/mg),SET特性与重离子的入射位置具有很强的依赖性;对于高LET值(LET＞10 MeV· cm2/mg),由于加强了衬底的电荷收集,SET特性与粒子轰击位置的依赖性减弱.

关键词：单粒子瞬态;鳍式场效应晶体管;重离子;线性能量传输;工艺计算机辅助设计

所属期刊栏目：55

分类号：O473(半导体物理学)

资助基金：Supported by Key Research and Development Program of State-owned Assets Supervision and Administration Commis-sion 2020002-047

在线出版日期：2022-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2209-2215