高温环境下PMOS剂量计的剂量响应研究

摘要：

通过室温和高温条件下的辐照试验,研究了100 nm和400 nm栅氧厚度PMOS剂量计(RADFETs)在高温下的辐照响应.实验剂量率为3 rad(Si)/s和0.098 rad(Si)/s,辐照总剂量达80 krad(Si).采用中带电压法进行氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的分离,对高温下辐照响应的微观机理进行了分析.氧化物陷阱电荷的退火作用是导致非线性响应的主要原因.不同氧化层厚度的氧化物陷阱电荷密度差异很大,高温下100 nm和400 nm RADFETs的界面态陷阱电荷密度差异较小.最后讨论了高温下不同栅氧厚度RADFETs的适用性,为高温环境下RADFETs的应用提供了参考.

关键词：高温环境;RADFETs;辐照响应

所属期刊栏目：55

分类号：TL818(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：Supported by National Natural Science Foundation of China ;West Light Foundation of Chinese Academy of Sciences

在线出版日期：2022-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2175-2182