CMOS器件单粒子效应电路级建模与仿真
单粒子效应电路级建模与仿真是近年来的热点问题.为实现更高的准确度和更精细的机制分析,研究了单粒子瞬态受重离子入射位置的影响并解析建模,基于纳米尺度测试芯片的辐照试验结果验证了仿真方法的准确性.以此为基础开发了瞬时辐射效应仿真软件TREES,其输入文件为GDSII格式的版图,软件中通过解析版图提取所有有源区的形状、尺寸信息.软件还包括其他用户自定义选项,包括重离子LET值、待分析区域、激励设置等.输出文件包括对应单次入射的波性文件、单粒子效应敏感区热点图、单粒子效应截面数据等.软件第1版实现了与商用设计流程相集成,可作为Cadence工具栏中的嵌入式软件.软件第2版为不依赖于上下游商业软件的独立软件.本工作可用于评价单元电路或中小规模单粒子效应敏感性,对于熟悉电路级仿真的设计人员,可用于在设计阶段快速评价集成电路的抗辐射加固性能.
电路级;建模与仿真;单粒子效应;TREES;CMOS器件
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TN386.1(半导体技术)
Supported by National Natural Science Foundation of China 11690043,61634008
2022-01-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共8页
2113-2120
