不同特征尺寸SRAM质子单粒子效应实验研究

摘要：

利用中国原子能科学研究院100 M eV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研究.获得了不同能量、不同入射角度下3款SRAM的单粒子翻转(SEU)截面曲线.分析了入射质子能量及角度对不同特征尺寸SRAM的SEU饱和截面的影响和效应规律,并利用蒙特卡罗方法对65 nm SRAM SEU特性进行了模拟.研究结果表明:随特征尺寸的减小,SEU饱和截面会出现不同程度的降低,但降低程度会由于多单元翻转(MCU)的增多而变缓;随入射角度的增加,MCU规模及数量的增加导致器件截面增大;3款SRAM所采用的位交错技术并不能有效抑制多位翻转(MBU)的发生.

关键词：质子、静态随机存储器、能量、入射角度、多位翻转

所属期刊栏目：54

分类号：TN99

在线出版日期：2020-06-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1118-1124