康普顿成像系统角分辨影响因素的理论及模拟研究
为了对康普顿成像系统的结构设计提供参考,本文提出了一种理论与模拟计算相结合的对双层位置灵敏CZ T晶体组成的康普顿成像系统散射角误差进行估算的方法,并利用该方法对康普顿成像系统散射角误差进行了研究.结果表明,对662 keV、1.33 MeV和2 MeV的入射光子,该成像系统的康普顿散射角误差分别为5.54°、4.82°和4.52°,散射角误差主要来自于探测系统位置分辨本领和能量分辨本领,探测材料多普勒效应引起的角误差相对较小.合理地限制康普顿散射角范围可有效改善成像系统角分辨能力,优化成像效果.
康普顿成像系统、散射角误差、位置灵敏CZT晶体
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TL814(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)
2020-01-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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2471-2477