质子在砷化镓材料中产生位移损伤的Geant4模拟

摘要：

本文使用Geant4模拟了1、5、10、20、50、100、500、1 000 MeV能量的质子入射GaAs的位移损伤情况.随入射质子能量的增大,产生的初级离位原子(PKA)数目增加、种类增多;PKA能谱分布总体上呈递减趋势,PKA在低能量区间所占份额降低,在高能量区间所占份额升高.研究结果表明,辐射缺陷浓度在质子入射方向上遵循布拉格规律.

关键词：质子、砷化镓、位移损伤、Geant4

所属期刊栏目：52

分类号：TL341(核反应堆工程)

资助基金：强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金资助项目SKLIPR1610;国家自然科学基金资助项目11475256

在线出版日期：2018-11-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1735-1739