SOI 器件瞬时剂量率效应的激光模拟技术研究

摘要：

为验证激光模拟技术用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究的可行性，对其优势和主要原理进行了分析。利用0.13μm SOI M OS器件单管测试芯片进行了激光辐射实验，获得了不同尺寸器件辐射所激发的瞬时光电流与激光入射能量的关系曲线，并计算得到了线性拟合后的光电流表达式。通过激光实验数据与器件TCAD仿真结果的对比，获得了本文实验条件下的辐射剂量率‐激光能量模拟等效关系。结果表明，激光模拟技术可用于半导体SOI器件瞬时剂量率效应研究。

关键词：瞬时剂量率效应、半导体SOI器件、激光模拟技术、瞬时光电流

所属期刊栏目：51

分类号：O472.4(半导体物理学)

资助基金：中国工程物理研究院院长基金资助项目2014-1-100

在线出版日期：2017-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：187-192