硅像素探测器读出芯片的设计

摘要：

针对应用在高能物理实验的硅像素探测器，设计了一种基于时间过阈技术的像素阵列读出芯片。芯片采用商用的130 nm CMOS 工艺进行流片，共有30×10个像素单元，像素单元的面积为50μm×250μm。测试结果表明，像素单元电路的等效噪声电荷低于100e-，积分非线性优于4.2%，基本实现了设计的功能。

关键词：硅像素探测器、读出芯片、时间过阈技术

所属期刊栏目：50

分类号：TL82(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：国家自然科学基金资助项目1123501346

在线出版日期：2016-08-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1296-1300