负电子亲和势砷化镓光阴极热发射度测量

摘要：

作为未来高平均功率、高亮度电子源的重要材料之一，负电子亲和势砷化镓（NEA‐GaAs）光阴极发射的电子束亮度一直以来都是国际上的研究热点。热发射度是电子束能够实现的发射度下限，测量热发射度有利于确定注入器能否提供高亮度的电子束。本文理论计算了 NEA‐GaAs光阴极热发射度数值范围，并基于中国工程物理研究院自由电子激光相干强太赫兹源（FEL‐T Hz ）装置，在28 fC的极低电荷量下，采用螺线管扫描法初步测量了NEA‐GaAs光阴极的热发射度。结果显示，NEA‐GaAs光阴极的热发射度为（0.603±0.002）μm／m m。

关键词：热发射度、砷化镓光阴极、高压直流电子枪、螺线管扫描法

分类号：TL53;O462.3(加速器)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11305165，11475159，11505173，11575264；国家重大科学仪器设备开发专项资助项目2011YQ130018；中国工程物理研究院发展基金资助项目2014B0402069，2014B0402070

在线出版日期：2015-11-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：643-647