质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性
对不同偏置下的PNP 输入双极运算放大器在3、10 MeV 两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5 Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放 LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV 质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV 质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。
PNP输入双极运算放大器、质子辐射、60 Coγ射线辐射、辐射效应
TN321.8;TN431(半导体技术)
2015-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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2087-2092