乙醇为碳源的低氢常压CVD法制备石墨烯薄膜及其生长机理研究

摘要：

以乙醇为碳源，采用低氢常压化学气相沉积（CVD ）法在铜基底上制备石墨烯薄膜，并将其成功转移至目标基底。通过SEM、Raman、TEM、选区电子衍射等分析发现，所制备的石墨烯薄膜结构完整、质量良好。通过设计实验，观察和分析了石墨烯薄膜生长过程中主要阶段的形貌特征及生长机理。结果表明，乙醇高温分解出的碳原子在铜基底表面聚集形核，形成的原始晶粒逐渐长大为岛状晶畴直至形成树枝状薄片，并在生长过程中跨越铜基底表面晶界，最后形成完整的石墨烯薄膜。

关键词：石墨烯薄膜、化学气相沉积法、乙醇、生长机理

分类号：TQ177

资助基金：中国工程物理研究院重点实验室基金资助项目9140C680501120C68254

在线出版日期：2015-03-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：409-414